Semiconductor device

반도체 장치


PURPOSE: To provide a semiconductor device which can easily obtain cooling effect, without raising the production cost. CONSTITUTION: A thermoelectric conversion element 8 comprises an N-type semiconductor region 13, a P-type semiconductor region 14, and metal wires 12a to 12c. The N-type semiconductor region 13 is formed simultaneously with the formation of an n¬- impurity region and an n¬+ impurity region of a transistor in an element-forming region 4. The P-type semiconductor region 14 is formed simultaneously with the formation of a p¬- impurity region and a p¬+ impurity region of another transistor. Further, the metal wires 12a to 12c of the tehrmoelectric conversion element 8 are formed simultaneously, with the formation of metal wires being connected to the transistors.
열전 변환 소자(8)는, N형 반도체 영역(13), P형 반도체 영역(14) 및 금속 배선(12a∼12c)으로 구성된다. 그 N형 반도체 영역(13)은, 소자 형성 영역(4)에 트랜지스터의 n - 불순물 영역 및 n + 불순물 영역을 형성할 때에 동시에 형성된다. P형 반도체 영역(14)은, 다른 트랜지스터의 p - 불순물 영역 및 p + 불순물 영역을 형성할 때에 동시에 형성된다. 또한, 열전 변환 소자(8)에 있어서의 금속 배선(12a∼12c)은 트랜지스터에 접속되는 금속 배선을 형성할 때에 동시에 형성된다. 이에 의해, 생산 비용을 상승시키지 않고 용이하게 냉각 효과가 얻어지는 반도체 장치를 얻을 수 있다.




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