A control system for Silicon Ingot Growing Apparatus

잉곳 성장 장치 제어 시스템

Abstract

본 발명은 잉곳 성장 장치의 제어시스템에 관한 것으로서, 석영도가니의 목표 온도 궤적 목표값과, 인상장치의 잉곳 인상속도 궤적 목표값, 잉곳의 직경 궤적 목표값을 발생하는 궤적 목표값 발생수단(10)과; 성장되는 잉곳의 직경을 측정한 실제값과 목표 설정값을 입력으로 받아서 설정값의 일정한 범위 내에서만 잉곳을 인상하도록 인상장치에 잉곳 인상 속도 신호를 공급하는 인상속도제어기(20)와; 인상속도와 실제의 용융실리콘 온도, 및 온도궤적 목표값을 입력으로 받아서 잉곳의 직경이 일정한 범위를 벗어나지 아니하도록 제어하는 온도제어기(50)를 포함하여 이루어진다. 인상속도제어기는, 성장되고 있는 잉곳의 직경을 측정한 실제값과 설정된 직경 목표값을 비교하여 발생되는 인상장치 제어신호를 일정한 범위 내에서만 변화되도록 하는 제한기를 포함하는 것이 특징이다.
PURPOSE: A control system of single crystal ingot growth apparatus is provided, to control the process for obtaining the uniform raising velocity rather than the change of diameter, thereby enabling ingot to grow with uniform v/G ratio and improving the uniformity of quality of ingot. CONSTITUTION: The control system comprises a quartz crucible(3) containing a fused silicon(2); a heating device(6) for heating the fused silicon; a raising device(4) for raising single crystal ingot(1) with rotating; and a control system which comprises a trace target value generation means(10) generating a target temperature trace target value of the crucible, an ingot raising velocity trace target value of the raising device and a diameter trace target value of the ingot, a raising velocity controller receiving the real measured value of ingot diameter and the target set value and supplying the ingot raising velocity signal to the raising device to allow the ingot to be raised only within a certain region of set value, and a temperature controller receiving a raising velocity, a real temperature of fused silicon and a temperature trace target value and controlling the diameter of ingot not to be deviated from a certain region.

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